Схема использования нейроморфных полупроводников с искусственным интеллектом в космосе. / Фото: Министерство науки и ИКТ РК
Ко Хён Чжон
Впервые была осуществлена проверка работоспособности полупроводниковой технологии искусственного интеллекта (ИИ) следующего поколения, стабильно функционирующей даже в условиях космического излучения.
Об этом 19 марта сообщила исследовательская группа Министерства науки и информационно-коммуникационных технологий Республики Корея, Корейского института атомной энергии (KAERI), Национального университета Чхунбук и Межуниверситетского центра микроэлектроники (IMEC) в Бельгии.
Ожидается, что это открытие будет иметь важное значение для разработки собственных ИИ-полупроводников для использования в космической обороне.
Ранее основной проблемой была способность полупроводниковых устройств выдерживать интенсивное космическое излучение, которое вызывает дефекты в таких устройствах. Это, в свою очередь, приводит к ухудшению их характеристик и сбоям в работе.
Исследовательская группа создала транзистор, имитирующий синапс, на основе оксида индия-галлия-цинка (IGZO), материала для полупроводников следующего поколения, и подтвердила его способность противостоять радиации. Ученые использовали протонный ускоритель с энергией 33 МэВ, что соответствует дозе облучения, получаемой на низкой околоземной орбите более чем за 20 лет.
Эксперимент подтвердил стабильность работы транзистора и способность управлять силой нейронных связей нейроморфного устройства.
Моделирование распознавания рукописного текста достигло точности в 92,6%, а также показало возможность четырехбитной точности вычислений.
Ученые планируют развивать эту технологию в качестве ключевой в области полупроводников для искусственного интеллекта в аэрокосмической отрасли.
Результаты их исследования были опубликованы 15 марта в международном журнале «Materials Science in Semiconductor Processing».
hjkoh@korea.kr